- 工作頻率1.8至600MHz
- 包含創新的靜電放電（ESD）保護技術
- 可用于推拉式或單端配置
飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。
MRFE6VP6300H產品是這個性能級別里唯一商用的50V LDMOS晶體管產品。有了這款新晶體管，CO2激光器、等離子體發生器、磁共振成像掃描儀和其他工業設備的制造商可以獲得前所未有的穩定性和射頻功率性能。
MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置，并放置在緊湊型NI780-4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時，該設備生成300W的CW輸出功率，增益為25分貝，效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創新的靜電放電（ESD）保護技術，這不僅使它成為第三類功率器件，還支持大的柵源電壓范圍（-6V至+10 V），因而在高效模式（如C類）下運行時能提高性能。
