【導(dǎo)讀】有兩種瞬態(tài)響應(yīng)。首先，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)?shù)蛪航捣€(wěn)壓器(LDO)提供的負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí)，在LDO輸出端出現(xiàn)過(guò)沖或下沖。第二，線路瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)連接的電壓在LDO輸入端發(fā)生變化時(shí)，在LDO輸出端發(fā)生過(guò)沖或下沖，具有不同的波形。
圖1.LDO輸出端發(fā)生下沖時(shí)的內(nèi)部構(gòu)造
讓我們看看當(dāng)LDO的輸出出現(xiàn)下沖現(xiàn)象時(shí)，其內(nèi)部會(huì)發(fā)生什么。圖1顯示了LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，輸出電壓為1V時(shí)，瞬態(tài)響應(yīng)下沖電壓為0.02V，導(dǎo)致輸出電壓下降到0.98V。當(dāng)參考電壓穩(wěn)定到1V時(shí)，那么誤差放大器的輸入端之間有0.02V的電壓差。放大器將該電壓放大，所以誤差放大器的輸出電壓VAMP下降，這意味著PMOS傳遞元件的VGS增加，PMOS傳遞元件開(kāi)始導(dǎo)通更多的通道，給輸出電容充電。所以，LDO的輸出電壓開(kāi)始回升到1V。
圖2.LDO輸出端發(fā)生過(guò)沖時(shí)的內(nèi)部構(gòu)造
LDO輸出端過(guò)沖的情況（圖2）與下沖的情況相反。過(guò)沖電壓為0.02V，那么輸出電壓是1.02V，誤差放大器的輸入端之間有一個(gè)-0.02V的電壓差。誤差放大器再次放大這個(gè)電壓，誤差放大器的輸出電壓VAMP增加，而PMOS傳遞元件的電壓VGS減少，這意味著PMOS傳遞元件開(kāi)始關(guān)閉其通道。但正因?yàn)槿绱耍粋€(gè)傳遞元件可以給輸出電容充電，以防輸出電容放電時(shí)，過(guò)沖輸出電壓恢復(fù)到1V。
圖3.在下沖和過(guò)沖期間LDO內(nèi)部的活動(dòng)
您可以在圖3中看到下沖和過(guò)沖期間LDO內(nèi)部的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和該狀態(tài)下的動(dòng)作：下沖期間更多的傳遞元件被打開(kāi)，而過(guò)沖期間關(guān)閉。這種反饋動(dòng)作對(duì)于負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和線性瞬態(tài)響應(yīng)是相同的，它取決于導(dǎo)致下沖或過(guò)沖的原因。過(guò)沖的幅度和穩(wěn)定時(shí)間取決于內(nèi)部反饋對(duì)瞬態(tài)事件的反應(yīng)速度--輸入電壓或負(fù)載電流的任何變化。
圖4.NCP110的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
圖4展示了NCP110的實(shí)測(cè)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)：在負(fù)載變化到較高的電流水平時(shí)，輸出電壓下降。一段時(shí)間后，內(nèi)部反饋對(duì)過(guò)沖作出反應(yīng)，導(dǎo)通PMOS傳遞元件。當(dāng)負(fù)載變化到一個(gè)非常低的電流水平時(shí)，例如1毫安，內(nèi)部反饋反應(yīng)是關(guān)閉PMOS傳遞元件：導(dǎo)致過(guò)沖，輸出電容放電。
圖5.NCP110線性瞬態(tài)響應(yīng)
圖5展示了線性瞬態(tài)響應(yīng)。但下沖和過(guò)沖具有相同的波形，這是由于實(shí)際上負(fù)載電流沒(méi)有變化造成的。因此，輸出電容沒(méi)有擴(kuò)展放電。就像負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)一樣，PMOS傳遞元件也會(huì)相應(yīng)地以導(dǎo)通和關(guān)閉做出響應(yīng)。
您可以將類(lèi)似的原則應(yīng)用于含NMOS傳遞元件的LDO。含PMOS傳遞元件的LDO有一個(gè)針對(duì)輸入電壓VIN的柵源電壓VGS，而含NMOS傳遞元件的LDO有一個(gè)針對(duì)輸出電壓VOUT的柵源電壓VGS。因此，當(dāng)需要導(dǎo)通更多的NMOS傳遞元件時(shí)，誤差放大器的輸出電壓VAMP增加。當(dāng)需要關(guān)閉NMOS傳遞元件時(shí)，誤差放大器的輸出電壓VAMP下降；這與含PMOS傳遞元件的LDO恰好相反。
來(lái)源：onsemi
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)，滿(mǎn)足光伏應(yīng)用的需求
數(shù)據(jù)中心加速芯片需求大爆發(fā)，F(xiàn)PGA正領(lǐng)跑市場(chǎng)
電感飽和與開(kāi)關(guān)電源之間的密切關(guān)系（中）
在柵極驅(qū)動(dòng)器IC方面取得的進(jìn)步讓開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)新的功率密度水平
