【導讀】在上一篇文章中，作為介紹驅(qū)動器源極引腳效果的前提，我們了解了在沒有驅(qū)動器源極引腳的以往封裝MOSFET（以下稱“以往MOSFET”）中的開關(guān)工作期間的電壓。在本文中，我們將一起了解具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅(qū)動器源極引腳的效果。
本文的關(guān)鍵要點
?具備驅(qū)動器源極引腳，可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
?具備驅(qū)動器源極引腳，可以提高導通速度。
在上一篇文章中，作為介紹驅(qū)動器源極引腳效果的前提，我們了解了在沒有驅(qū)動器源極引腳的以往封裝MOSFET（以下稱“以往MOSFET”）中的開關(guān)工作期間的電壓。在本文中，我們將一起了解具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅(qū)動器源極引腳的效果。
有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果
左下圖是以往MOSFET的驅(qū)動電路，右下圖是具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動電路。不同的是驅(qū)動電路的回流線的連接方式，以往MOSFET是連接到源極（Source）引腳，而具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET是連接到驅(qū)動器源極引腳（Driver Source）引腳，其源極是一個單獨的電源（Power Source）引腳。此外，每個藍色箭頭表示開關(guān)工作中的電壓。
如藍色箭頭所示，兩者在開關(guān)工作中的電壓是相同的。再次提一下，MOSFET被施加VG并導通后，ID增加，LSOURCE沿圖中（I）的方向產(chǎn)生VLSOURCE。由于電流IG流入柵極引腳，因RG_EXT產(chǎn)生壓降VRG_EXT(I)。
如上所述，兩者產(chǎn)生的電壓是一樣的，但在以往MOSFET的情況下，VLSOURCE和VRG_EXT(I)被包含在導通時的驅(qū)動電路網(wǎng)中，因此MOSFET的導通工作所需的芯片上的電壓VGS_INT會減少，最終導致導通速度降低。而在具有驅(qū)動器源極引腳的情況下，ID會流向電源（Power Source）引腳，不流向驅(qū)動器源極（Driver Source）引腳，這部分不包含在驅(qū)動電路網(wǎng)中，因此可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
如果具備驅(qū)動器源極引腳，則可以去掉
項（＝VLSOURCE），可以看出這部分電壓不會影響VGS_INT。這就是驅(qū)動器源極引腳的效果，可以提高導通速度。
在下一篇文章中，我們將通過工作波形來了解驅(qū)動器源極引腳的效果。
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