【導(dǎo)讀】碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。
碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上。
相對(duì)應(yīng)的，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會(huì)造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作。
1、碳化硅肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)和特征
用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結(jié)的快速恢復(fù)二極管（FRD)，能夠明顯減少恢復(fù)損耗，有利于開(kāi)關(guān)電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動(dòng)元件的體積，使開(kāi)關(guān)電源小型化，并降低產(chǎn)品噪音。
2、碳化硅肖特基二極管的正向特性
碳化硅肖特基二極管的開(kāi)啟導(dǎo)通電壓比硅快速恢復(fù)二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢(shì)壘的高度，但這會(huì)使器件反向偏壓時(shí)的漏電流增大。
碳化硅肖特基二極管的溫度特性與硅快速恢復(fù)二極管不同，當(dāng)溫度升高時(shí)導(dǎo)通阻抗會(huì)增加，VF值也上升，這樣器件發(fā)熱不易發(fā)生熱失控，更適合并聯(lián)使用。
同等溫度條件下，IF=10A時(shí)碳化硅與硅二極管正向?qū)妷罕葘?duì)，碳化硅肖特基二極管的導(dǎo)通壓降為1.5V，硅快速恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降為1.7V, 碳化硅材料性能好于硅材料。
3、碳化硅肖特基二極管的恢復(fù)特性
硅快速恢復(fù)二極管存在反向漏電流較大和反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，瞬間會(huì)產(chǎn)生極大的反向瞬態(tài)沖擊電流，器件從正壓導(dǎo)通轉(zhuǎn)向反壓截止偏壓狀態(tài)。此過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)，電流大，會(huì)產(chǎn)生較大的損耗，當(dāng)器件正向電流越大及溫度越高時(shí)，恢復(fù)時(shí)間和恢復(fù)電流就越大，損耗也就越大。
碳化硅肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件（單極性器件），在工作過(guò)程中不會(huì)發(fā)生少數(shù)載流子存儲(chǔ)的現(xiàn)象，也不會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的正反向切換瞬態(tài)沖擊電流，只有結(jié)電容放電的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開(kāi)關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時(shí)易于改善EMI。
以下測(cè)試結(jié)果基于基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D20065K(650V/20A),電流特性（5A、10A、15A）：
硅快速恢復(fù)二極管（環(huán)境溫度25℃）
碳化硅肖特基二極管（環(huán)境溫度25℃）
○ 硅快恢復(fù)二極管在5A、10A和15A對(duì)應(yīng)的反向恢復(fù)電流分別是9.3A、13.0A和15.8A；
○ 碳化硅肖特基二極管在5A、10A和15A對(duì)應(yīng)的反向恢復(fù)電流分別是2.5A、3.1A和3.6A；
從測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)看，在5A、10A、15A三等級(jí)電流測(cè)試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流比硅快恢復(fù)二極管小，有利提升產(chǎn)品效率。
硅快速恢復(fù)二極管（10A）
碳化硅肖特基二極管（10A）
○ 在25℃和125℃時(shí)，硅快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電流分別是13.2A和24.4A；
○ 在25℃和125℃時(shí)，碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流分別是3.0A和3.1A；
從測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)看，在同等溫度條件下，IF=10A時(shí)，碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流低于硅快恢復(fù)二極管，因此碳化硅肖特基二極管的損耗同樣低于硅快恢復(fù)二極管。
4、基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管主要特性參數(shù)及應(yīng)用
○ 最高反向工作電壓（VRSM）：二極管能承受的最大反向電壓；
○ 正向連續(xù)導(dǎo)通電流（IF）：二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)所允許通過(guò)的最大正向電流，IF值與器件結(jié)溫呈負(fù)相關(guān)關(guān)系，結(jié)溫越高，IF值越小。
○ 正向瞬時(shí)導(dǎo)通電流（IF）：IFSM及IFMAX越大，瞬時(shí)抗沖擊浪涌能力越強(qiáng)。
○ 正向電壓（VF）：正向電壓越大，二極管的功耗越大，其值越小越好。
○ 工作溫度（Tj）: Tj的工作溫度越寬，說(shuō)明器件的高溫特性越好，可以在高溫下工作，不影響器件的性能。
○ 反向飽和電流（IR）：也稱為漏電流，在反向偏壓一定的情況下，反向飽和電流的大小決定了二極管自身的損耗，反向飽和電流越大，二極管的功耗越大，器件本體發(fā)熱越嚴(yán)重，因此反向飽和電流直接影響二極管的可靠性，其值越小越好；
○ 電荷電容（QC）：QC越大，二極管的開(kāi)關(guān)損耗越大；
○ 熱阻Rth(jc): Rth(jc)值越小，在使用中二極管管芯向外部散熱速度越快，器件溫度越低，散熱效果越好，器件工作穩(wěn)定性越好。
基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器、5G微基站電源、軌道交通系統(tǒng)中的輔助電源以及車載OBC等功率因數(shù)校正電路（PFC 電路）和DC/DC整流輸出電路中。
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