看見一個資深工程師自己在本站網站上總結了幾個LED芯片使用過程中經常遇到的問題及如何解決，分享給大家，請看下文。
1、正向電壓降低，暗光：
A：一種是電極與發光材料為歐姆接觸，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。
B：一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發生在芯片電極制備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印，分布位置。
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定。
正向壓降低的芯片在固定電壓測試時，通過芯片的電流小，從而表現暗點，還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低，正向壓降正常。
2、難壓焊：(主要有打不粘，電極脫落，打穿電極)
A：打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠
B：有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢，其中以加厚層脫落為主。
C：打穿電極：通常與芯片材料有關，材料脆且強度不高的材料易打穿電極，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極，
D：壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時間，壓力，金球大小，支架定位等進行調整。
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3、發光顏色差異：
A：同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄，生長是很難保證各區域組分一致。(組分決定禁帶寬度，禁帶寬度決定波長)。
B：GAP黃綠芯片，發光波長不會有很大偏差，但是由于人眼對這個波段顏色敏感，很容易查出偏黃，偏綠。由于波長是外延片材料決定的，區域越小，出現顏色偏差概念越小，故在M/T作業中有鄰近選取法。
C：GAP紅色芯片有的發光顏色是偏橙**，這是由于其發光機理為間接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易產生雜質能級偏移和發光飽和，發光是開始變為橙**。
4、閘流體效應：
A：是發光二極管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到一定程度，電流產生突變。
B：產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層，有此現象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性，在使用過程是出于兩極電壓不夠大，表現為不亮，可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線，也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發現，小電流下的正向壓降明顯偏大，則可能是該問題所致。
5、反向漏電：
A：原因：外延材料，芯片制作，器件封裝，測試一般5V下反向漏電流為10UA，也可以固定反向電流下測試反向電壓。
B：不同類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。
C：外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷所致，芯片制作過程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液調配銀膠。以防止銀膠通過毛細現象爬到結區。
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