【導讀】飛兆100 V BoostPak設備系列通過將MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內，簡化了電路板裝配并節省了空間，該解決方案提高了可靠性，降低了LED應用中的系統成本。與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進了高溫應用中的系統可靠性。
飛兆半導體通過引入100 V BoostPak設備系列優化MOSFET和二極管選擇過程，將MOSFET和二極管集成在一個封裝內，代替LED 電視/顯示器背光、LED照明和DC-DC轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。
通過將MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設備節省了電路板空間，簡化了裝配，降低了材料清單成本并改進了應用的可靠性。
圖：飛兆100V BOOSTPAK將MOSFET 和二極管集成在一個封裝內
該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導體 PowerTrench工藝生產，這一先進工藝專用于最小化導通電阻，同時保持卓越的開關性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向導通壓降，具有出色的開關性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進了高溫應用中的系統可靠性。
FDD1600N10ALZD 主要功能：
• RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
• RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A
• 低柵極電荷 = 2.78 nC（典型值）
• 低反向電容 (Crss) = 2.04 pF（典型值）
FDD850N10LD 主要功能：
• RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A
• RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
• 低柵極電荷 = 22.2 nC（典型值）
• 低反向電容 (Crss) = 42 pF（典型值）
主要特點：
• 快速開關
• 100%經過雪崩測試
• 可提高dv/dt處理能力
• 符合 RoHS 標準
供貨信息及報價（訂購1K）
FDD1600N10ALZD的價格為0.49美元，FDD850N10LD的價格為0.57美元，均可按請求提供樣品，收到訂單后 8-12 周內可交貨。
更多詳細信息可參閱：
飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD1600N10ALZD 主要參數信息
飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD850N10LD主要參數信息
相關閱讀：
Vishay擴充功率MOSFET家族，導通電阻低至30mΩ
http://ep.cntronics.com/guide/4107/241
ST、英飛凌齊推超結MOSFET 獨青睞TO247-4封裝技術
http://www.lvepin.com/restify-art/80020870
安森美新型MOSFET，LGA封裝節省更多空間
http://ep.cntronics.com/guide/4107/242
