【導(dǎo)讀】本文我們將探討輸入偏置電流的兩種測(cè)試方法。選擇哪種方法要取決于偏置電流的量級(jí)。我們將介紹器件測(cè)試過(guò)程中需要考慮的各種誤差源。本系列的下篇文章將介紹一款可配置測(cè)試電路，其可幫助您完成本文所介紹的所有測(cè)量。
產(chǎn)品說(shuō)明書通常為運(yùn)算放大器的非反相輸入與反相輸入（iB+ 和 iB-）分別提供了一個(gè)偏置電流列表。這兩個(gè)輸入的區(qū)別就是輸入失調(diào)電流 IOS。在工作臺(tái)上，您可能會(huì)忍不住使用圖 1a 中的電路來(lái)測(cè)試正輸入偏置電流，因?yàn)樵撆渲孟碌姆糯笃骱芊€(wěn)定，這種方式有效。
圖 1.使用圖 (a) 中的電路測(cè)量運(yùn)算放大器非反相輸入端的輸入偏置電流。在圖 (b) 中增加一個(gè)環(huán)路放大器，可在針對(duì)反相輸入端進(jìn)行測(cè)量時(shí)保持運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性。圖 (c) 中的電路可測(cè)量任何輸入端的偏置電流。繼電器可決定電路配置。
可惜，在測(cè)量負(fù)輸入偏置電流時(shí)，沒(méi)有保持放大器穩(wěn)定性的簡(jiǎn)單方法。然而，可增加一個(gè)環(huán)路放大器保持被測(cè)試器件的穩(wěn)定性，這樣可使用靜電計(jì)測(cè)量偏置電流，如圖 1b 中的電路所示。這個(gè)電路就是在第 1 部分中我們用來(lái)測(cè)試 VOS 的雙放大器測(cè)試環(huán)路，但有一個(gè)不同的連接。
我們將兩個(gè)放大器的輸入顛倒過(guò)來(lái)，以保持被測(cè)試器件的穩(wěn)定性。雖然這種方法對(duì)工作臺(tái)測(cè)試很管用，但靜電計(jì)的速度太慢，不適合用于高速生產(chǎn)測(cè)試。我們?cè)谏a(chǎn)測(cè)試中使用的方法是 VOS 測(cè)試的修改方案。為了測(cè)試輸入偏置電流 (IB)，我們?yōu)殡娐诽砑恿死^電器和電阻器（或電容器）。請(qǐng)見(jiàn)圖 1c 中的電阻器 RB。
為了討論起見(jiàn)，我們使用雙運(yùn)算放大器測(cè)試環(huán)路來(lái)描述該測(cè)試。不過(guò)，本技術(shù)同樣也適合第 1 部分中介紹的兩種測(cè)試環(huán)路。我們?yōu)閳D 1c 中被測(cè)試器件的每個(gè)輸入都添加了一個(gè)繼電器和電阻器。
在繼電器 K2 和 K3 閉合時(shí)，我們可使用第 1 部分介紹的 VOS 測(cè)量技術(shù)測(cè)量和保存 VOUT 值。公式 1 根據(jù) RIN、RF 和 VOS 定義了 VOUT。
公式 1
對(duì)公式 1 進(jìn)行變換后，可得到用于計(jì)算 VOS 的公式 2。
公式 2
接下來(lái)，我們打開(kāi) K2，進(jìn)行另一項(xiàng)測(cè)量，得到 VOUT(IB-)。測(cè)得的電壓由被測(cè)試器件的失調(diào)電壓以及流過(guò)電阻器 RB 的輸入偏置電流引起，可表示為公式 3。
公式 3
我們現(xiàn)在可求解 iB-，等式兩邊同時(shí)除以 (RIN+RF)/RIN，得到公式 4。
公式 4
公式 5
然后，在公式 4 兩邊同時(shí)減去被測(cè)試器件的失調(diào)電壓，得到公式 5。
最后，在公式 5 兩邊同時(shí)除以 RB，計(jì)算 IB- 的值。
公式 6
圖 2.在測(cè)量小于幾百微微安的偏置電流時(shí)，應(yīng)在電路中使用電容器，并使用萬(wàn)用表測(cè)量一系列樣片。
可使用類似的方法測(cè)量 IB+。測(cè)量 IB- 時(shí)，關(guān)閉 K3，打開(kāi) K2。測(cè)量 IB+ 時(shí)，關(guān)閉 K2，打開(kāi) K3。由于我們已經(jīng)測(cè)量出運(yùn)算放大器的 VOS，因此接下來(lái)就只是數(shù)學(xué)計(jì)算了。結(jié)果很容易得出，而且只需一個(gè)良好的數(shù)字萬(wàn)用表 (DMM) 即可。
注意，使用電阻器產(chǎn)生電壓差來(lái)測(cè)量 IB，只對(duì)低至幾百微微安的偏置電流有效。我們可針對(duì)更低的偏置電流使用另一項(xiàng)測(cè)量技術(shù)。
對(duì)于小于幾百微微安的 IB 值，我們使用電容器來(lái)替換 RB 電阻器。一旦短路繼電器被打開(kāi)，偏置電流就會(huì)使環(huán)路以 IC = C(dV/dt) * 環(huán)路增益的速度結(jié)合。您可通過(guò)在已知時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行測(cè)量來(lái)計(jì)算偏置電流。這種方法可測(cè)量小于 1pA 的偏置電流。
PCB 布局對(duì)于這些真正的低 IB 電流來(lái)說(shuō)非常重要。要注意減少雜散電容，因?yàn)殡s散電容可能會(huì)消耗一些 IB 電流。PCB 上被測(cè)試器件輸入引腳的泄漏也會(huì)導(dǎo)致誤差，因此應(yīng)在輸入引腳周圍創(chuàng)建保護(hù)環(huán)，并將保護(hù)環(huán)連接至接地。這將減少來(lái)自高電壓節(jié)點(diǎn)的任何泄漏。從拓?fù)浣嵌葋?lái)看，應(yīng)該采用溫度穩(wěn)定的低泄漏電容器替換圖 1c 中的 RB 電阻器。
采用電容方法需要良好的時(shí)鐘。這是因?yàn)檩斎肫秒娏鳒y(cè)量不僅需要打開(kāi)各種電容器（連接在被測(cè)試器件的輸入端）間的繼電器，而且還要測(cè)量已知間隔的電壓變化。我們可通過(guò)在精確確定的時(shí)間周期內(nèi)測(cè)得的環(huán)路輸出電壓變化來(lái)計(jì)算輸入偏置電流。
當(dāng)電容器的繼電器在 t0 位置打開(kāi)，輸出便開(kāi)始根據(jù)偏置電流的極性以正方向或負(fù)方向結(jié)合（圖 2）。編程的延遲可讓電路穩(wěn)定下來(lái)。然后，在 t1 位置，DMM 按已知的采樣率進(jìn)行采樣。接下來(lái)在 t2 位置，會(huì)有另一個(gè)延遲。最后，在 t3 位置，DMM 會(huì)提取更多樣片。
保持采樣測(cè)量時(shí)間不變，這樣就能知道 dt 的值。獲得第二組樣片測(cè)量的平均值，并減去第一組樣片測(cè)量平均值，便可得到 dV 值或者 dt 時(shí)間內(nèi)的電壓變化。我們可通過(guò)電容器來(lái)計(jì)算電流，如：
方程式 7
方程式 8
然后，通過(guò)以下方程式計(jì)算偏置電流：
典型的誤差源
如果不討論測(cè)量過(guò)程中會(huì)遇到的誤差源，那么對(duì) VOS 測(cè)量的討論就不完整。明顯的誤差是那些由 DMM 分辨率以及所選組件（尤其是電阻器）值（噪聲和容差）引起的誤差。更細(xì)微的誤差可分為以下三個(gè)類型：
A. 熱生成電動(dòng)勢(shì) (emf)，由繼電器接觸引起
● 焊接點(diǎn)
● 板間引腳連接
● 自動(dòng)測(cè)試處理器的接觸點(diǎn)與插槽
B.下列因素產(chǎn)生的漏電流：
● 電源
● 繼電器控制和電源線跡
● PCB 材料的屬性
C. 噪聲
● 環(huán)境
● 測(cè)試儀
● 組件
● 被測(cè)試器件本身
這里討論的所有被測(cè)試器件配置中的典型誤差源均為熱生成電動(dòng)勢(shì)和漏電流。漏電流主要影響偏置電流測(cè)量，而熱生成電動(dòng)勢(shì)則可影響所有低級(jí)失調(diào)電壓測(cè)量。最大程度減少這些影響是確保系統(tǒng)功能和測(cè)量準(zhǔn)確度的必要條件。
漏電流由表面污染以及經(jīng)過(guò)組件或在 PCB 材料中的電阻式路徑導(dǎo)致。表面污染通常可通過(guò)徹底清潔電路板來(lái)控制，但濕度可能會(huì)改變表面漏電流。其它電阻式路徑可由材料的隔離電阻設(shè)置。在電阻式路徑連接電源線或繼電器控制型電源線時(shí)，也可能會(huì)出現(xiàn)漏電流。使用保護(hù)環(huán)以及支持高電平有效驅(qū)動(dòng)器的閉鎖繼電器，可緩解一部分這類漏電路徑影響。
熱電動(dòng)勢(shì)可在繼電器接觸、焊點(diǎn)、板間引腳連接點(diǎn)以及其它所有測(cè)試處理器接觸點(diǎn)和插槽中產(chǎn)生。例如，考慮圖 1c 中的雙放大器 VOS 測(cè)量電路。漏電流不會(huì)明顯影響該測(cè)量。但該電路無(wú)法體現(xiàn)多種熱電動(dòng)勢(shì)來(lái)源。
圖 3 是熱電動(dòng)勢(shì)誤差源，標(biāo)記為 VT。在室溫下測(cè)量時(shí)，梯度漸變無(wú)異常。但在寒冷或炎熱的環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試時(shí)，從被測(cè)試器件到電阻器和繼電器的熱梯度漸變會(huì)很明顯。
圖 3. 熱電動(dòng)勢(shì)誤差（顯示為 VT）可影響測(cè)量結(jié)果。
其它文獻(xiàn)
Dostal, Jiri，《熱電電壓》，摘自運(yùn)算放大器第 2 版第 9.3.1 節(jié)。Butterworth-Heinermann，1993 年第 266 頁(yè)。
David R. Baum 是德州儀器 (TI) 的一名模擬 IC 設(shè)計(jì)工程師，負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)用于 LCD 和 AMOLED 電視的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。David 擁有超過(guò) 27 年的豐富模擬設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和至少 7 項(xiàng)專利。他畢業(yè)于位于亞利桑那州圖森市的亞利桑那大學(xué)，以優(yōu)異的成績(jī)獲得電子工程學(xué)士學(xué)位、MBA 以及德國(guó)文學(xué)碩士學(xué)位。郵件地址：ti_davidbaum@list.ti.com。
Daryl Hiser 是 TI 高精度運(yùn)算放大器產(chǎn)品部的高級(jí)測(cè)試工程師，負(fù)責(zé)制定和執(zhí)行新產(chǎn)品的測(cè)試與特性描述方案，擁有兩項(xiàng)專利。他畢業(yè)于位于亞利桑那州 Flagstaff 市的北亞利桑那大學(xué)，獲動(dòng)物學(xué)理學(xué)學(xué)士學(xué)位。郵件地址：ti_darylhiser@list.ti.com。
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