新聞事件：
- 第七/八屆新型節能設計技術研討會成功舉辦
事件影響：
- 知名廠商技術專家全面介紹電子元器件在新能源領域的應用
由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節能設計技術研討會成功舉辦。本屆研討會成都站活動于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國際會展中心，與中國（西安）電子展同期舉行。來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術專家全面介紹了包括超快恢復二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內的電子元器件在太陽能發電、風力發電、新能源汽車、工業與通訊等領域中的應用。
第七/八屆新型節能設計技術研討會是2011西部電子論壇期間重要的活動，本屆西部電子論壇共吸引了1000多名專業觀眾，有超過400名觀眾參加了新型節能設計技術研討會。
研討會詳情，請點擊：http://www.lvepin.com/seminar
新型節能設計技術研討會已經成功舉行了六屆，每一屆都吸引了大量的研發工程師和技術管理人員的參與。“能源危機與氣候變化提升了節能減碳的重要性，新能源越發成為關注熱點，各國政府也出臺了相應的法規。我們希望通過節能設計技術研討會幫助工程師了解政府節能減碳以及新能源領域的政策法規，通過介紹新產品新技術，提升產品的競爭力。” CNT Networks CEO劉杰博士說。
“新能源的利用和電子節能技術的應用，迎合了當下節能減碳的訴求，節能減碳和新能源利用將為電子信息產業帶來新的發展機遇。”中電會展與信息傳播有限公司（中國電子展主辦方）董事長陳雯海說。
研討會中，技術廠商展示的系列新技術和解決方案引人關注。
威世專場元器件技術講座聚焦新能源利用與節能設計
新能源利用與節能設計備受關注，威世公司（Vishay）在兩地的新型節能設計技術研討會上開展專場元器件技術講座，講解電容、MOSFET、電源管理、二極管與功率模塊、光耦在新能源、軍工、通信、工業電源中的應用。
Vishay二極管部門亞洲地區市場部技術工程師魏武介紹了二極管和電源模塊在太陽能及工業領域中的應用，包括低正向壓降的45V TMBS肖特基二極管在太陽能接線盒用作旁路二極管，以及用在不同類型太陽能逆變器中的逆變電源模塊、FRED® Pt超快二極管和晶閘管。
Vishay 光電子部門產品市場經理Jose Espina與Vishay光電子部門產品應用經理陸驍聯合介紹了使用光耦合器來改進系統設計的技巧，包括如何用光耦合器大幅提高現有系統的性能，以及對危及人身安全的電壓級別提供安全隔離。
Vishay Siliconix 高級區域市場經理唐建忠介紹了Vishay Siliconix的高、中、低壓MOSFET的晶圓制造和封裝技術，以及UPS、通信和替代能源應用中的電源管理問題。
Vishay 電容器部門區域市場經理黃勇介紹了Vishay電容器在軍工和替代能源應用中的使用包括DC-link薄膜電容器、鋁101/102 PHR-ST系列高可靠性鉭電容器和高可靠性的MLCC器件。
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凌力爾特展示能量捕獲與轉化IC
除了依靠太陽能發電、風力發電來獲取能量外，依靠溫度差或振動也可獲取能量，例如煙囪里的溫度差，電梯的機械振動。收集來自溫差裝置、機械振動產生的能量可完全免除增設有線電源或電池的需要?，F在，眾多的無線傳感器、遠程監視器和其他低功率應用正在使用這種能量收集技術作為電源。本屆研討會中，凌力爾特應用技術工程經理盧志豪介紹了新型模擬 IC 解決方案，該方案可從多種“免費”能源對能量進行收集。置于能源之上的合適換能器負責提供一個電信號，此IC對其進行轉換，并通過調理使之成為可用功率，以在使用極少外部組件的情況下提供高效功率轉換。
基美電子聚合物鉭電容可替代傳統鉭電容
基美電子市場部總監陳文全介紹了工作溫度可達200℃的MLCC，適用于新能源汽車和鉆井?？商娲g電容的高頻響應Low ESR 聚合物電容、高可靠度軍用級聚合物電容、薄膜及電解電容適合在新能源汽車、太陽能發電、風力發電和照明領域應用。
羅姆重點推介SiC器件效率高、耐高溫
SiC功率器件是一種新型功率器件，SiC的導通電阻只有Si的1/5，開關速度高，在250度高溫可正常工作，適用于太陽能發電，風力發電等的DC/AC轉換器。羅姆已經量產了SiC制SBD、DMOS，正在推進新一代SiC制Trench MOS的開發。而且，羅姆成功地進行了高速、高溫工作的SiC功率模塊的試制。同時，羅姆計劃將推出采用了SiC-MOSFET和SiC二極管的FULL SiC POWER MODULE（全SiC功率模塊）產品。羅姆株式會社新材料元件研發中心經理中村孝與工程師陳彬在西安站介紹了羅姆SiC的性能與研發應用狀況。
羅姆無需電解電容的LED驅動IC BD555成為亮點
羅姆半導體（深圳）有限公司設計中心LED照明中國區高級工程師潘少聰在成都站介紹了羅姆無需電解電容的LED驅動IC BD555，該IC兼容Triac調光、PWM調光和線性調光。BD555集成了照明專用的數字邏輯控制模塊，無需增加外圍元件即可實現LED恒流。
英飛凌科技IGBT模塊實現高功率密度設計，優化太陽能逆變器設計
英飛凌工業功率器件部高級應用工程師趙振波介紹了應用IGBT模塊實現高功率密度的設計要求。首先，IGBT器件處于安全工作區無疑是選型和應用的基本要求，也是高功率密度設計的基礎。通常高功率密度意味著系統工作點將更靠近IGBT的安全工作區的邊緣。其次，高功率密度將帶來在有限的冷卻面積下更大的功耗，熱設計和管理是至關重要，改善冷卻條件，增加輸出電流。最后，功率循環周次和熱循環周次作為可靠性和使用壽命的主要指標，在高功率密度條件下如何考慮，趙振波結合CAV應用和風能的應用加以說明和解釋。
最后，來自品佳電子的工程師楊龍和彭裔天介紹了目前主流太陽能逆變器拓撲結構以及這些拓撲結構中英飛凌半導體功率器件IGBT，MOSFET，SIC Diode的運用。
經過三年的運作，新型節能設計技術研討會，已經成為中國新能源與高能效設計領域的重要技術論壇，每年覆蓋深圳、上海、成都和西安等電子行業重鎮，成為中國電子行業備受關注的技術盛會。
