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新型光學加速度傳感器動力學性能設(shè)計
本文針對基于菲涅耳衍射微透鏡的新型光學加速度傳感器設(shè)計了一種簡單實用的敏感加速度的振動系統(tǒng)，它是由一個微彈性機械結(jié)構(gòu)連接在外框架上構(gòu)成。微彈性機械結(jié)構(gòu)是在一塊硅片上通過簡單的MEMS工藝加工的，可以通過改變硅片的厚度和彈性臂的寬度來設(shè)計不同的彈性系數(shù)和振動系統(tǒng)的固有頻率，以滿足傳...
2008-10-24
傳感器 新型 光學加速度
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功率器件熱設(shè)計及散熱計算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題，通過對功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計算，得出散熱方式的設(shè)計和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設(shè)計 功率器件 散熱計算
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中國光伏產(chǎn)業(yè) 本土市場嚴重滯后
短短幾年內(nèi)，我國太陽能電池產(chǎn)量躍居世界第一，10家企業(yè)海外上市。中國生產(chǎn)的太陽能電池95%以上銷往國外，歐洲、美國、日本是主要的買家，而國內(nèi)太陽能光伏市場遠未形成。
2008-10-23
太陽能電池 光伏產(chǎn)業(yè)
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ABB變頻器在風力發(fā)電行業(yè)的應(yīng)用
本文簡介了四種風力發(fā)電系統(tǒng)，講述了變速恒頻雙饋風力發(fā)電系統(tǒng)工作原理以及ABB風力發(fā)電變頻器，最后講了一個應(yīng)用案例。
2008-10-23
風力發(fā)電 ABB 變頻器
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IGBT技術(shù)——半導體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導體 開關(guān) 外殼
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江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)
10月23日，引進世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題，包括：隔離開關(guān)開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關(guān)開合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開關(guān)的短路持續(xù)時間和隔離開關(guān)的過載能力、接地開關(guān)的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關(guān) 接地開關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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過壓保護的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護 電路 MOSFET
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電子信息產(chǎn)業(yè)出口受制 發(fā)展后勁面臨考驗
隨著十月華爾街金融風暴的加劇，我國電子信息產(chǎn)業(yè)的出口經(jīng)受嚴峻考驗。工業(yè)和信息化部日前在第十屆高交會上發(fā)布的《2008年Q3季度中國電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟運行公報》顯示，電子信息產(chǎn)業(yè)今年前三季度經(jīng)濟運行保持平穩(wěn)發(fā)展，但延續(xù)了過往幾個季度增速放緩的態(tài)勢，經(jīng)濟運行增速始終低于全國工業(yè)平均水平，...
2008-10-22
電子信息產(chǎn)業(yè) 通訊 計算機 家用視聽業(yè)
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