【導(dǎo)讀】氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯(lián)兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。
氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯(lián)兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。
由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設(shè)備的平行組，以使返回到使用單向開關(guān)獲得的值。可以執(zhí)行此類四季度操作的單片設(shè)備可以通過用單個設(shè)備替換四個活動開關(guān)來低系統(tǒng)大小和復(fù)雜性。 GAN在BDS中的使用可以在某些應(yīng)用程序中創(chuàng)造進一步的優(yōu)勢，因為它的損失較低和比傳統(tǒng)基于SI的設(shè)備更快地切換的能力。
讓我們看一下BDS設(shè)備可以發(fā)揮關(guān)鍵作用的一些關(guān)鍵應(yīng)用程序：
交流開關(guān)：在許多應(yīng)用中，雙向AC-AC功率流的概念非常吸引人。考慮一個太陽微型逆變器。標(biāo)準(zhǔn)方法是創(chuàng)建中間DC鏈路電壓，然后將其轉(zhuǎn)換為AC電壓，該電壓可以饋送到網(wǎng)格或用于消費者使用。直流鏈接電容器可能很大，增加了尺寸和成本。 AC-DC-AC過程涉及通過每個功率轉(zhuǎn)換階段的效率降低。另一個示例是板載充電器（OBC），其中使用AC開關(guān)可以單級隔離電源轉(zhuǎn)換。大約在45年前，首次提出了一個矩陣開關(guān)。可以在交叉點的9個BDS設(shè)備連接兩個三相端口，并轉(zhuǎn)換電壓，頻率和功率因數(shù)。傳統(tǒng)的可變頻率驅(qū)動器（VFD）通常采用包括AC-DC和DC鏈接在內(nèi)的兩個階段轉(zhuǎn)換，然后是DC-AC逆變器。當(dāng)使用二極管整流器時會產(chǎn)生諧波，并且在制動電動機制動時，無法再生供應(yīng)回電源。直流鏈路電容器是典型的故障點，可能是笨重的。據(jù)估計，VFD在工業(yè)應(yīng)用中消耗了超過60％的電能。因此，使這些驅(qū)動器更加可靠，健壯和有效，同時提高功率密度可以產(chǎn)生重大的積極影響，而BDS為實現(xiàn)這一目標(biāo)提供了途徑。較小的驅(qū)動器可能會與電動機集成在一起，從而在減少電纜和寄生蟲方面取得了進一步的優(yōu)勢。
在常規(guī)AC-DC轉(zhuǎn)換器中替換B2B開關(guān)：讓我們考慮一下維也納整流器的示例。這是一個簡單的集成增壓二極管橋，并帶有添加的BTB設(shè)備，將生成的直流的中點連接回交流側(cè)。這些BTB開關(guān)可將電流饋入輸入電感器，并補償3 rd諧波失真，從而控制輸入電流形狀。這種流行的整流器已用于電信電源，快速的離線電動電動汽車充電等。從本質(zhì)上講，T型轉(zhuǎn)換器是維也納新娘中的二極管替換為MOSFET等主動開關(guān)的二極管。這些三級逆變器允許雙向功率流，可用于許多固態(tài)變壓器（SST）應(yīng)用。邪惡的逆變器在光伏（PV）應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)了許多用途。在這里，BDS在AC電源上創(chuàng)建旁路，以網(wǎng)格頻率切換并允許反應(yīng)電流流動。在這些流行的轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，用整體式gan bds替換當(dāng)前的多顧問BD會產(chǎn)生較低設(shè)備計數(shù)的好處，而使用GAN更快的切換可以降低被動組件大小。這些三層拓撲中使用的BDS設(shè)備只需維持總直流電壓的一半即可。
電流源逆變器（CSI）：帶定子電流的CSI飼料感應(yīng)電動機。正弦電流進入電動機可顯著提高電機設(shè)計和可靠性。 CSIS中使用的大型電感器可提供固有的過載和短路保護。 CSI的需要開關(guān)可以在兩個方向上阻塞電壓，因此MOSFET或IGBT需要串聯(lián)二極管。當(dāng)使用WBG設(shè)備時，電壓源逆變器（VSI）不太寬容地使用快速開關(guān)，因為開關(guān)波形中的瞬時過電壓增加了EMI風(fēng)險。這會強調(diào)電動機繞組和軸承。盡管CSI逆變器面臨著獨特的挑戰(zhàn)，例如由于控制復(fù)雜性的增加而導(dǎo)致的成本更高，但它們對于高功率電動機驅(qū)動器，電飛機和HVDC傳輸?shù)臓顟B(tài)可能是的。 CSI驅(qū)動器中使用的WBG設(shè)備可以以高頻切換，從而可以減小電感器尺寸。隨著輸出電容器形成低通濾波器，EMI風(fēng)險降低。 CSI設(shè)計中已證明了GAN BDS設(shè)備2。雖然需要雙向電壓阻塞，但單向電流流量滿足要求，因此有可能簡化所需的門控。這將在下面進一步討論。
AC固態(tài)斷路器（SCCB）和電池斷開：AC SCCB需要雙向，可靠的過電壓特性，較低的狀態(tài)電阻，快速響應(yīng)時間，低熱電阻包裝以及高電流故障清除到?S范圍內(nèi)。在此應(yīng)用程序中，該設(shè)備通常在靜態(tài)條件下運行。用單個GAN BDS的MOSFET或IGBT的機械斷路器或抗系列組合替換在較低的模具和更有效的設(shè)備中具有優(yōu)勢。在使用甘恩（Gan Hemt）方面的一個顯著好處也是沒有重要的Spirito效應(yīng)，在某些條件下，可以降低基于SI的設(shè)備的安全操作區(qū)域（SOA）。電池斷開開關(guān)，例如在手機和筆記本電腦充電電路中。它們在過電壓條件下提供斷開連接，從而提供重要的保護功能。這些應(yīng)用中的BDS針對非常低的州電阻（<10MΩ），通常使用合并的源，單對接方法，而不是上述其他應(yīng)用中合并的排水，兩柵方法。現(xiàn)在將更詳細地描述這種合并的排水BDS設(shè)備。
gan hv-bds
在近的Infineon 2025 Wide-Bandgap開發(fā)人員論壇上，Coolgan HV BDS的校長，產(chǎn)品定義和概念工程師Kennith Leong博士詳細描述了Infineon的GAN BDS Switch。 HV BDS開關(guān)的額定值為650 V和850 V，并基于Infineon的柵極注入晶體管（GIT）GAN技術(shù)。合并后的中央排水區(qū)連接了這些HV BDS設(shè)備中的兩個大門和來源。 Infineon還計劃釋放MV BDS開關(guān)，該開關(guān)的額定功能為40 V - 120 V，用于靜態(tài)電池斷開連接的應(yīng)用，這些應(yīng)用程序采用了Schottky Gate Gan Hemt Technology，以兩條插入，單門和常見的源設(shè)計。
圖1顯示了HV BDS設(shè)備的四種操作模式。當(dāng)兩個門都打開時，設(shè)備通過VDS-IDS參數(shù)空間的起源表現(xiàn)出雙向傳導(dǎo)。當(dāng)只有一個門打開時，就會展示設(shè)備的二極管模式，以便偏離門設(shè)備在其源供水電勢（VSD）何時超過HEMT的有效閾值電壓（VTH - VGS）時有效地控制轉(zhuǎn)機。在GIT設(shè)備中，這發(fā)生在<2V。當(dāng)兩個門都關(guān)閉時，該設(shè)備在電壓下的阻塞明顯大于額定設(shè)備的電壓。
圖1：描繪HV Coolgan BDS設(shè)備的四種操作模式（來源：Infineon Technologies）
雙向設(shè)備中的重要設(shè)計考慮因素是控制底物電位。理想情況下應(yīng)以電位保持，通常是設(shè)備源電壓。由于這兩個來源在此應(yīng)用程序中可能具有不同的潛力，因此將底物與其中一個綁定到一個不對稱的狀態(tài)行為，同時浮動，這可能會導(dǎo)致反向偏置顯著增加RDSON。 Infineon通過使用單片智能技術(shù)來將基板動態(tài)連接到潛力的源來解決此問題。這樣可以確保近乎理想的軟開關(guān)行為。
硬化和軟開關(guān)下的功率損耗的比較如圖2所示。此處的B2B SI和SIC MOSFET與GAN BDS進行了比較，因此凈R DSON是相同的。如所見，在100 kHz開關(guān)頻率下，BDS可以看到損失的顯著改善。共享排水口可顯著改善特定的R DSON，從而允許較低的凈模層區(qū)域，從而降低開關(guān)和動態(tài)傳導(dǎo)損失。在這些BDS設(shè)備中看到的一個重要的改進是自限制的短路行為，該設(shè)備能夠通過重復(fù)的10-100?s測試，對此特征的單向gan hemts的顯著改善。
圖2：與SI和SIC MOSFET背對背配置的HV Coolgan BDS設(shè)備的損耗比較（來源：Infineon Technologies）
計劃在Q2 2025以25MΩ和TOLT和DSO TSC軟件包中的110MΩ等級發(fā)射650 V HV BDS。計劃在未來的路線圖中計劃進行850個V設(shè)備。 Infineon證明的一個概念可以簡化上述CSI應(yīng)用程序中這些設(shè)備的使用是一種混合BDS設(shè)備。在這里，（d-Mode）Hemt上通常將標(biāo)準(zhǔn)電子模式設(shè)備作為BDS結(jié)合使用。該D模式設(shè)備的柵極源路徑中的cascoded LV Schottky二極管控制其行為外部，因此消除了控制此門的要求。
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