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雙向可控硅應用

為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數，對雙向可控硅進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。

 

耐壓級別的選擇：通常把 VDRM（斷態重復峰值電壓）和 VRRM（反向重復峰值電壓）中較小的值標作該器件的額定電壓。選用時，額定電壓應為正常工作峰值電壓的 2~3 倍，作 為允許的操作過電壓裕量。

 

電流的確定：由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的 2~3 倍。同時，可控硅承受斷態重復峰值電壓 VDRM 和反向重復峰 值電壓 VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的 IDRM 和 IRRM。

 

通態（峰值）電壓 VTM 的選擇：它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇 VTM 小的可控硅。

 

維持電流：IH 是維持可控硅維持通態所必需的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則 IH 越小。

 

電壓上升率的抵制：dv/dt 指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容，如圖 2 所示。我們知道 dv/dt 的變化在電容的兩端會出現等效電流，這個電流就會成為 Ig，也就是出現了觸發電流，導致誤觸發。

 

圖 2 雙向可控硅等效示意圖

 

切換電壓上升率 dVCOM/dt。驅動高電抗性的負載時，負載電壓和電流的波形間通常發生實質性的相位移動。當負載電流過零時雙向可控硅發生切換，由于相位差電壓并不為零。這時雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產生的切換電壓上升率（dVCOM/dt）若超過允許值，會迫使雙向可控硅回復導通狀態，因為載流子沒有充分的時間自結上撤出，如圖 3 所示。

 

 

圖 3 切換時的電流及電壓變化

 

高 dVCOM/dt 承受能力受二個條件影響：

 

dICOM/dt—切換時負載電流下降率。dICOM/dt 高，則 dVCOM/dt 承受能力下降。結面溫度 Tj 越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。假如雙向可控硅的 dVCOM/dt 的允許值有可能被超過，為避免發生假觸發，可在 T1 和 T2 間裝置 RC 緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用 47~100? 的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01μF~0.47μF 的電容，晶閘管關斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復至零電流，此過程可在元件兩端產生達正常工作峰值電壓 5-6 倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。

 

斷開狀態下電壓變化率 dvD/dt。若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過 VDRM，電容性內部電流能產生足夠大的門極電流，并觸發器件導通。門極靈敏度隨溫度而升高。假如發生這樣的問題，T1 和 T2 間（或陽極和陰極間） 應該加上 RC 緩沖電路，以限制 dvD/dt。

 

電流上升率的抑制：電流上升率的影響主要表現在以下兩個方面：

 

①dIT/dt（導通時的電流上升率）—當雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發下導通，門極臨近處立即導通，然后迅速擴展至整個有效面積。這遲后的時間有一個極限，即負載電流上升率的許可值。過高的 dIT/dt 可能導致局部燒毀，并使 T1-T2 短路。假如過程中限制 dIT/dt 到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或導通時的 dIT/dt 有可能被超出，可在負載上串聯一個幾 μH 的不飽和（空心）電感。

 

②dICOM/dt (切換電流變化率) —導致高 dICOM/dt 值的因素是:高負載電流、高電網頻率（假設正弦波電流）或者非正弦波負載電流,它們引起的切換電流變化率超出最大的允許值，使 雙向可控硅甚至不能支持 50Hz 波形由零上升時不大的 dV/dt，加入一幾 mH 的電感和負載串聯，可以限制 dICOM/dt。

 

·為了解決高 dv/dt 及 di/dt 引起的問題，還可以使用 Hi-Com 雙向可控硅，它和傳統的雙向可控硅的內部結構有差別。差別之一是內部的二個“閘流管”分隔得更好，減少了互相的影響。這帶來下列好處：

 

①高 dVCOM/dt。能控制電抗性負載，在很多場合下不需要緩沖電路，保證無故障切換。這降低了元器件數量、底板尺寸和成本，還免去了緩沖電路的功率耗散。

 

②高 dICOM/dt。切換高頻電流或非正弦波電流的性能大為改善，而不需要在負載上串聯電感，以限制 dICOM/dt。

 

③高 dvD/dt（斷開狀態下電壓變化率）。雙向可控硅在高溫下更為靈敏。高溫下，處于截止狀態時，容易因高 dV/dt 下的假觸發而導通。Hi-Com 雙向可控硅減少了這種傾向。從而可以用在高溫電器，控制電阻性負載，例如廚房和取暖電器，而傳統的雙向可控硅則不能用。

 

門極參數的選用

門極觸發電流—為了使可控硅可靠觸發，觸發電流 Igt 選擇 25 度時 max 值的 α 倍，α 為門極觸發電流—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中最低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常 α 取大于 1.5 倍即可。

 

門極壓降—可以選擇 Vgt 25 度時 max 值的 β 倍。β 為門極觸發電壓—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中最低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常 β 取 1~1.2 倍即可。

 

觸發電阻—Rg=（Vcc-Vgt）/Igt

 

觸發脈沖寬度—為了導通閘流管（或雙向可控硅），除了要門極電流≧IGT ，還要使負載電流達到≧IL（擎住電流），并按可能遇到的最低溫度考慮。因此，可取 25 度下可靠觸發可控硅的脈沖寬度 Tgw 的 2 倍以上。

 

在電子噪聲充斥的環境中，若干擾電壓超過觸發電壓 VGT，并有足夠的門極電流，就會發生假觸發，導致雙向可控硅切換。第一條防線是降低臨近空間的雜波。門極接線越短越好，并確保門極驅動電路的共用返回線直接連接到 TI 管腳（對閘流管是陰極）。若門極接線是硬線，可采用螺旋雙線，或干脆用屏蔽線，這些必要的措施都是為了降低雜波的吸收。為增加對電子噪聲的抵抗力，可在門極和 T1 之間串入 1k? 或更小的電阻，以此降低門極的靈敏度。假如已采用高頻旁路電容，建議在該電容和門極間加入電阻，以降低通過門極的電容電流的峰值，減少雙向可控硅門極區域為過電流燒毀的可能。

 

結溫 Tj 的控制：為了長期可靠工作，應保證 Rth j-a 足夠低，維持 Tj 不高于 80%Tjmax , 其值相應于可能的最高環境溫度。

 

雙向可控硅的安裝

對負載小，或電流持續時間短（小于 1 秒鐘）的雙向可控硅，可在自由空間工作。但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂。

 

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。很多場合下，鉚接不是一種推薦的方法，本文不做介紹。

 

夾子壓接

這是推薦的方法，熱阻最小。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（SOT82 和 SOT78 ） 和絕緣封裝（ SOT186 F-pack 和更新的 SOT186A X-pack）。注意，SOT78 就是 TO220AB。

 

螺栓固定

SOT78 組件帶有 M3 成套安裝零件，包括矩形墊圈，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應該不對器件的塑料體施加任何力量。

 

安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量。

 

和接頭片接觸的散熱器表面應處理，保證平坦，10mm 上允許偏差 0.02mm。

 

安裝力矩（帶墊圈）應在 0.55Nm 和 0.8Nm 之間。

 

應避免使用自攻絲螺釘，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩無法控制，也是這種安裝方法的缺點。器件應首先機械固定，然后焊接引線。這可減少引線的不適當應力。

 

在可控硅設計中，選用合適的參數以及與之相對應的軟硬件設計，用可控硅構成的變流裝置具有節約能源、成本低廉等特點，目前在工業中得到飛速的發展。

 

除此以外，可控硅的應用市場，可謂是相當的廣闊，譬如：在自動化控制領域、機電領域、工業電器以及家電等方面，都有可控硅的身影。在消費級市場，U 型馬達和電熱阻絲也是可控硅應用比較多的方向。通常情況下，一般采用雙向可控硅（TRIAC）或者結合交流電源來實現電機控制、恒溫恒功率的控制電路。

 

不管是電熱阻絲還是 U 馬達，由于其加入了 TRIAC 這樣的雙向可控硅的器件，加入了 PID 控制算法所以其相關的電路設計就變得非常復雜，為了讓大家更好的更輕松的實現相關產品的設計，我特意開設了此次直播課，幫忙大家系統地理解可控硅的在實際具體產品的控制電路設計。