【導(dǎo)讀】IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定：
——IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓;
——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;
——流過IGBT 集電極－發(fā)射極的電流;
——IGBT 的結(jié)溫。
如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則IGBT 可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT 集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極－發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT 集電極－發(fā)射極的電流超過集電極－發(fā)射極允許的最大電流,IGBT 的結(jié)溫超過
其結(jié)溫的允許值,IGBT 都可能會永久性損壞。
絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N 一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電。
IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動態(tài)兩類：
1 ．靜態(tài)特性:IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1 結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id 與Ugs 呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V 左右。
IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh
式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ；
Udr ——擴(kuò)展電阻 Rdr 上的壓降；
Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流 Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。
由于N+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V 的IGBT 通態(tài)壓降為2～3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。
2 ．動態(tài)特性IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on)為開通延遲時間，tri為電流上升時間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td(on)tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成，如圖 2 － 58 所示
IGBT 在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍Ｒ驗(yàn)?MOSFET 關(guān)斷后，PNP 晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off)為關(guān)斷延遲時間， trv 為電壓Uds(f)的上升時間。
實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf 由圖 2 － 59 中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間
t(off)=td(off)+trv 十 t(f) （ 2 － 16 ）
式中， td(off) 與 trv 之和又稱為存儲時間。
