【導(dǎo)讀】在年度印度半導(dǎo)體展上，莫迪宣布美光、塔塔測試芯片已在印生產(chǎn)，2025 年底將啟動半導(dǎo)體商業(yè)化生產(chǎn)，印度欲在全球市場發(fā)力。為推動產(chǎn)業(yè)，印度出臺多項政策，還批準(zhǔn) 10 個半導(dǎo)體項目，吸引富士康、塔塔等參與。同時，印度通過 “本土研發(fā) + 國際合作” 模式，引入國際巨頭，提升自身實力。據(jù)預(yù)測，印度半導(dǎo)體市場規(guī)模將大幅增長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也被視為其實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)愿景的關(guān)鍵。不過，印度仍需解決將政策紅利轉(zhuǎn)化為技術(shù)自主權(quán)的問題。
印度總理莫迪于新德里舉辦的年度印度半導(dǎo)體展（Semicon India）開幕式上發(fā)表致辭，透露美光與塔塔兩家企業(yè)的測試芯片已啟動在印生產(chǎn)進(jìn)程，且到 2025 年底，印度將正式開啟半導(dǎo)體商業(yè)化生產(chǎn)。屆時，印度有望在全球半導(dǎo)體市場中占據(jù)重要地位。
近年來，印度政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)視作保障 “經(jīng)濟(jì)安全” 與實現(xiàn) “戰(zhàn)略自主” 的核心領(lǐng)域，通過一系列政策舉措推動產(chǎn)業(yè)落地。其中，2021 年推出的 “半導(dǎo)體印度”（Semicon India）計劃，初期預(yù)算高達(dá) 87 億美元，還承諾為相關(guān)項目提供 50% 的成本補(bǔ)貼；2025 年 6 月，政府進(jìn)一步放寬經(jīng)濟(jì)特區(qū)政策，將半導(dǎo)體制造用地的門檻從 50 公頃下調(diào)至 10 公頃，以此吸引更多中小企業(yè)參與到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局中。
目前，印度已在古吉拉特邦、卡納塔克邦等 6 個邦批準(zhǔn)了 10 個半導(dǎo)體項目，總投資額約 183 億美元，覆蓋硅基芯片制造、化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等多個細(xì)分領(lǐng)域。在這些項目中，塔塔集團(tuán)與力積電合作建設(shè)的 28 納米晶圓廠、富士康與 HCL 合資打造的顯示驅(qū)動芯片封裝廠均已進(jìn)入實施階段。前者是印度首座 12 英寸晶圓廠，總投資 110 億美元，月產(chǎn)能可達(dá) 5 萬片，預(yù)計 2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)，主要聚焦車規(guī)級、面板驅(qū)動及高速運(yùn)算邏輯芯片，目標(biāo)市場涵蓋電動汽車、人工智能等領(lǐng)域；后者總投資 4.35 億美元，計劃 2027 年投產(chǎn)，最終將實現(xiàn)月產(chǎn) 2 萬片晶圓及 3600 萬顆顯示驅(qū)動芯片的產(chǎn)能，該項目不僅深度契合蘋果供應(yīng)鏈重構(gòu)的需求，還將推動印度顯示產(chǎn)業(yè)鏈的本土化發(fā)展。
與此同時，印度始終堅持 “本土研發(fā) + 國際合作” 的發(fā)展模式，已與美國、日本、新加坡等國家簽署合作備忘錄，并引入瑞薩電子、美光科技、英飛凌等國際半導(dǎo)體巨頭。以 2025 年 5 月為例，瑞薩電子在印度設(shè)立了 3 納米芯片設(shè)計中心，重點開展車規(guī)級與高性能計算芯片的研發(fā)工作，計劃 2027 年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。這一項目的落地，標(biāo)志著印度首次躋身高端芯片設(shè)計領(lǐng)域。
根據(jù)印度電子與信息技術(shù)部的預(yù)測，印度半導(dǎo)體市場規(guī)模將從 2025 年的 450 億至 500 億美元，增長至 2030 年的 1000 億至 1100 億美元，屆時將占據(jù)全球市場 10% 的份額。莫迪政府更提出 “2030 年前將印度打造為全球前兩大經(jīng)濟(jì)體” 的愿景，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被視為實現(xiàn)這一愿景的關(guān)鍵引擎。
隨著富士康、塔塔集團(tuán)等企業(yè)的深度參與，印度在 “芯片 + 整機(jī)” 垂直整合領(lǐng)域有望形成區(qū)域競爭優(yōu)勢。不過，如何將政策紅利切實轉(zhuǎn)化為技術(shù)自主權(quán)，仍是印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中需要解決的核心問題。
