【導(dǎo)讀】隨著Al 相關(guān)的工作負(fù)載日益復(fù)雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討，以及實用的設(shè)計指導(dǎo)原則。接下來，文章將進(jìn)一步闡述在并聯(lián)應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)。
隨著Al 相關(guān)的工作負(fù)載日益復(fù)雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討，以及實用的設(shè)計指導(dǎo)原則。接下來，文章將進(jìn)一步闡述在并聯(lián)應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)。
并聯(lián)的挑戰(zhàn)
在前文我們介紹并聯(lián)設(shè)計的挑戰(zhàn)如靜態(tài)電流失配、動態(tài)電流失配，接下來將繼續(xù)講解其他挑戰(zhàn)。
并聯(lián)振蕩
對于高增益、快速開關(guān)器件來說，并聯(lián)振蕩可能是一個問題。由于 SiC JFET cascode（簡稱cascode）內(nèi)部有兩個有源器件：一個低電壓 Si MOSFET 和一個 SiC JFET，因此這尤其令人擔(dān)憂。持續(xù)的并聯(lián)振蕩（如圖 1所示）可能會因開關(guān)損耗過高而導(dǎo)致器件失效。
使用示波器很難觀察到振蕩。波形可能看起來很好，但在幾個開關(guān)周期內(nèi)就會開始振蕩。造成這種情況的原因有很多，例如負(fù)載電流、電壓和溫度的變化。主要原因是cascode的快速開關(guān)，尤其是在大電流時更易發(fā)生，此時di/dt 和 dv/dt 的速度會更快。
圖 1 雙脈沖測試期間兩個并聯(lián)cascode進(jìn)入持續(xù)并聯(lián)振蕩狀態(tài)
盡管很復(fù)雜，但分析具有Kelvin源引腳的兩個并聯(lián)cascode的工作情況還是很有用的，包括相關(guān)的電容和電感，如圖4所示。TO-247-3L和D2Pak-3L封裝沒有Kelvin源引腳，這種情況將在后面討論。
圖 2 兩個并聯(lián)cascode在動態(tài)電流失配的情況下導(dǎo)通
如前所述，由于閾值電壓的變化，動態(tài)電流失配實際上幾乎是不可避免的，而且電路布局的不對稱性可能會加劇這種情況。
在圖 2 中，我們可以想象有兩個cascode導(dǎo)通，左邊的cascode導(dǎo)通時間比右邊的稍早。左側(cè)cascode中的較大電流會導(dǎo)致左側(cè)源極電感兩端產(chǎn)生較高的電壓。在極端情況下，右側(cè)cascode的電流可能會暫時反向流動。無論情況如何，源極電壓失配會誘導(dǎo)電流流經(jīng)Kelvin源連接，如圖4和圖5所示。
圖 3 頂部圖表：Kelvin源極電流大大超過柵極電流。中間和底部圖表：每個Cascode的 VGS和 ID
圖 3 顯示了兩個并聯(lián) UF3SC120009K4S 帶電感負(fù)載硬開關(guān)導(dǎo)通的仿真結(jié)果。每個器件都有一個 680 pF 加 4.7 Ω 的漏極-源極緩沖電路(snubber)。一個cascode的 JFET 和 MOSFET 的閾值電壓比典型值低 10%，而另一個則比典型值高 10%，從而導(dǎo)致動態(tài)電流失配。
盡管這種情況可能發(fā)生，但概率較低。這里沒有增加額外的Kelvin源阻抗。頂部圖表顯示的Kelvin源電流峰值大大超過cascode柵極電流。理想情況下，柵極電流和Kelvin源電流在幅度上是相等的（差分）。中間圖形中的cascode柵極-源極電壓顯示出異相振鈴，這是柵源電壓不平衡的一個典型特征，在某些情況下會演變?yōu)槌掷m(xù)的、破壞性的并聯(lián)振蕩。圖 5 的底圖顯示了漏極電流的失配，這種不匹配最終導(dǎo)致了Kelvin源極電流的增大。動態(tài)電流失配會穩(wěn)定在接近零的狀態(tài)。
源極和/或漏極電感不匹配也會導(dǎo)致動態(tài)失配。當(dāng)這種情況與閾值電壓的隨機(jī)變化相結(jié)合時，可能會隨機(jī)產(chǎn)生并聯(lián)振蕩，尤其是在使用coscode電路時，因為JFET和MOSFET的閾值電壓變化都會導(dǎo)致動態(tài)電流失配。
一個看似簡單的解決方案是將所有柵極環(huán)路電阻移動到每個Kelvin源連接處，或者在使用不同的導(dǎo)通/關(guān)斷電阻時盡量這樣做，如圖6(b)所示。然而，這可能會導(dǎo)致持續(xù)振蕩。
為什么會這樣呢？增加Kelvin源電阻確實可以減少峰值Kelvin源電流。然而，考慮到進(jìn)出cascode MOSFET 柵漏電容的電荷是通過cascode的柵極電阻。柵極電阻越小，柵極電流峰值越高，MOSFET 的 dVDS/dt 峰值越高，JFET 的 dVGS/dt 峰值也就越高。此外，柵極電阻為MOSFET輸出電容 - 源極電感及其他LC諧振電路提供了阻尼。如果將所有柵極環(huán)路電阻移到Kelvin源連接處，則會移除cascode MOSFET柵極的阻尼，加上柵極電流與Kelvin源電流之間的巨大不匹配，這些因素結(jié)合起來會導(dǎo)致振蕩。
如何實現(xiàn)柵極阻尼最大化，同時最小化柵極電流與Kelvin源極電流的失配？首先，我們將每個cascode 的柵極電阻留在柵極連接中，而不是留在Kelvin源極連接中。我們需要最大限度地提高每個柵極的阻尼，不應(yīng)使用公共柵極電阻，見圖 3(a)。將所有柵極電阻置于每個cascode 柵極連接中。并根據(jù)用戶指南推薦的柵極電阻值進(jìn)行初步測試。
其次，我們可以在柵極和Kelvin源極連接處添加共模電感（common-mode choke，CMC）或差分耦合電感，如圖 5（a）所示。這將使柵極和Kelvin源極電流大小更加匹配。實驗表明，在 10 MHz 頻率下，CMC 阻抗至少為 100 Ω（如 Pulse AWCU00453226223TT2 或 Bourns SRF4530A-220Y 或類似產(chǎn)品）時，可消除持續(xù)振蕩。具體參數(shù)無需嚴(yán)格限定，特別是因為 CMC 對延遲時間沒有影響。
第三，并聯(lián)時必須安裝緩沖電路。除了降低開關(guān)壓擺率外，緩沖電路還能通過緩沖電阻抑制振鈴。因此，增加緩沖電路可大大降低振蕩的可能性。最后，盡可能依靠緩沖電路來設(shè)定開關(guān)速度，以最小化柵極電阻。這與直覺相反，但在《cascode 入門》中已有解釋。用戶手冊推薦的柵極電阻值為實現(xiàn)干凈開關(guān)的最小值。并聯(lián)器件可以共享一個共用的緩沖電路，或者每個cascode 都有獨立的緩沖電路。重要的是保持布局對稱性，并使緩沖電路連接的電感最小化。
圖 4 并聯(lián)時應(yīng)避免的事項
圖 5 建議的Kelvin源并聯(lián)方法
對于共模電感來說，布線是一項挑戰(zhàn)。而鐵氧體磁珠則非常小巧，更容易安裝在狹小的電路板布局中，如圖 5(b)所示。與 CMC 一樣，每個Kelvin源極和柵極連接中的鐵氧體磁珠都能避免振蕩。但與 CMC 不同的是，鐵氧體磁珠會導(dǎo)致延遲時間明顯增加。推薦的阻抗范圍是在100 MHz下70到400 Ω，如 Bourns MU2029-301Y。與添加 CMC 一樣，除了在柵極連接中使用常規(guī)的柵極電阻外，在Kelvin源極和柵極連接中使用鐵氧體磁珠也能防止振蕩。
圖 6 建議的無Kelvin源并聯(lián)方法
無Kelvin源引腳的器件
不帶Kelvin源引腳的器件也可以并聯(lián)。但一般來說，最好并聯(lián)帶有Kelvin源引腳的器件，因為消除了部分柵極驅(qū)動環(huán)路中的負(fù)載電流，可大大降低柵極振鈴。在沒有Kelvin源引腳的情況下，建議在柵極和柵極驅(qū)動返回連接到每個cascode 源時，都安裝一個鐵氧體磁珠，如圖 6 所示。此圖僅為概念圖。根據(jù)柵極驅(qū)動器的不同，在使用負(fù)關(guān)斷電壓時，柵極驅(qū)動環(huán)流可能會連接到柵極驅(qū)動電源，而不是直接連接到柵極驅(qū)動器。
其他設(shè)計技巧
如前所述，cascode通常需要使用緩沖電路，并聯(lián)時尤其需要。漏極-源極緩沖電路可降低開關(guān)壓擺率，從而減少產(chǎn)生振蕩的可能性。
直流母線電容和去耦電容必須靠近cascode，以盡量減少電感。建議在cascode旁邊安裝表面貼裝陶瓷電容（直流母線），并配合使用大容量薄膜電容器和/或鋁電解電容（作為去耦電容）。對稱電源布局非常重要。當(dāng)大電流（例如大于 100 A）和高 di/dt 壓擺率時，磁場可能“推動”相鄰器件及導(dǎo)體中的電流偏向一側(cè)，從而引發(fā)電流失衡及其他與噪聲相關(guān)的干擾問題。
靠近柵極驅(qū)動器及其電源的地方必須有足夠的旁路電容；此處電容不足會導(dǎo)致振蕩。建議使用表面貼裝陶瓷電容器。
柵極走線可以較長，而且由于我們處理的開關(guān)頻率一般不在 MHz 范圍內(nèi)，因此即使走線的長度不同也不會有影響。不過，柵極走線必須屏蔽，最好在相鄰電路板層上設(shè)置電源層。切勿讓柵極走線跨越電源層邊界。
未完待續(xù)，后續(xù)推文將講解演示和測試結(jié)果。
文章來源：安森美，本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian
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