【導讀】請注意，單結晶體管的符號看起來與結型場效應晶體管或 JFET 的符號非常相似，只是它有一個代表發射極 ( E ) 輸入的彎曲箭頭。雖然 JFET 和 UJT 的歐姆通道相似，但其工作方式卻截然不同，不應混淆。
請注意，單結晶體管的符號看起來與結型場效應晶體管或 JFET 的符號非常相似，只是它有一個代表發射極 ( E ) 輸入的彎曲箭頭。雖然 JFET 和 UJT 的歐姆通道相似，但其工作方式卻截然不同，不應混淆。
那么它是如何運作的呢？從上面的等效電路可以看出，N 型溝道基本上由兩個電阻器R B2和R B1與一個等效（理想）二極管串聯組成，D代表連接到它們中心點的 pn 結。該發射極 pn 結在制造過程中沿著歐姆通道固定就位，因此無法更改。
電阻R B1給出在發射極E和端子B 1之間，而電阻R B2給出在發射極E和端子B 2之間。由于pn結的物理位置比B 1更靠近端子B 2 ，因此R B2的電阻值將小于R B1。
硅棒的總電阻（其歐姆電阻）將取決于半導體的實際摻雜水平以及N型硅溝道的物理尺寸，但可以用R BB表示。如果使用歐姆表測量，對于常見的 UJT（例如 2N1671、2N2646 或 2N2647），該靜態電阻的測量值通常約為 4kΩ 至 10kΩ。
這兩個串聯電阻在單結晶體管的兩個基極端子之間產生一個分壓器網絡，并且由于該溝道從B 2延伸到B 1，因此當在器件上施加電壓時，沿溝道的任何點的電勢將在與其在端子B 2和B 1之間的位置成比例。因此，電壓梯度的水平取決于電源電壓的大小。
在電路中使用時，端子B 1連接到地，發射極用作器件的輸入。假設在B 2和B 1之間的UJT 上施加電壓V BB，使得B 2相對于B 1偏置為正。在施加零發射極輸入的情況下，電阻分壓器的R B1 （較低電阻）上產生的電壓可計算如下：
單結晶體管 R B1電壓
對于單結晶體管，上面顯示的R B1與R BB的電阻比稱為固有隔離比，并用希臘符號表示：η (eta)。對于常見的 UJT，η的典型標準值范圍為 0.5 至 0.8。
如果現在向發射極輸入端子施加小于電阻兩端產生的電壓R B1 ( ηV BB ) 的小正輸入電壓，則二極管 pn 結反向偏置，從而提供非常高的阻抗，并且器件不會執行。 UJT 切換為“OFF”并且零電流流動。
然而，當發射極輸入電壓增加并變得大于V RB1（或ηV BB + 0.7V，其中 0.7V 等于 pn 結二極管電壓降）時，pn 結變為正向偏置，單結晶體管開始導通。結果是發射極電流ηI E現在從發射極流入基極區域。
流入基極的額外發射極電流的影響減少了發射極結和B 1端子之間通道的電阻部分。R B1電阻值減小到非常低的值意味著發射極結變得更加正向偏置，從而導致更大的電流。其結果是在發射極端子處產生負電阻。
同樣，如果施加在發射極和B 1端子之間的輸入電壓降低到擊穿以下的值，則R B1的電阻值增加到高值。那么單結晶體管可以被認為是一種電壓擊穿器件。
因此我們可以看到， R B1呈現的電阻是可變的，并且取決于發射極電流I E的值。然后，相對于B 1正向偏置發射極結會導致更多電流流動，從而減小發射極、 E和B 1之間的電阻。
換句話說，流入 UJT 發射極的電流會導致R B1的電阻值降低，并且其兩端的電壓降V RB1也必須降低，從而允許更多電流流動，產生負電阻條件。
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