【導讀】許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結構。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。
（1）MOSFET器件結構將根據(jù)要求的耐受電壓來選擇。確定導通電阻RDS(ON)的因素如圖3-7和方程式3-（1）所示。根據(jù)器件的結構，決定導通電阻的因素比例將發(fā)生變化。
（2）例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結構。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。
圖3-7（a）D-MOS的導通電阻決定因素
圖3-7（b）溝槽MOS的導通電阻決定因素
RDS(ON）＝Rsub＋Rdrift＋RJ-FET＋Rch＋RN＋
RDS(ON)＝Rsub＋Rdrift＋Rch＋RN＋???方程式3-（1）
如果是VDSS＝600V，順序為Rdrift >> Rch > RJ-FET，RN+，Rsub和RDS(ON)取決于Rdrift
如果是VDSS＝30V，順序為Rch >> Rdrift > RN+，Rsub。溝槽MOS結構的精細圖形化可以最大限度降低RDS(ON)對Rch的依賴性
（來源：東芝半導體）
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