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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經過 1000 小時工作負荷后負載壽命穩定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在這方面已大幅改進，在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時負載壽命穩定性為 ±0.005%。
2008-08-13
VSMP0603 表面貼裝電阻 軍用級
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S系列：Vishay改進的軍用級高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩定性。
2008-07-30
箔電阻 S系列 軍用級
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DS7505：Maxim新±0.5°C精度的溫度傳感器
Maxim推出帶有EEPROM的±0.5°C精度數字溫度傳感器和溫度調節器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時能夠運行用戶設定的配置和溫度調節門限。DS7505與工業標準的LM75和Maxim的DS75軟件且引腳兼容，是基站、電信、網絡設備和醫療系統等需要高精度溫度測量應用的理想選擇。
2008-07-24
DS7505 數字溫度傳感器 溫度調節器
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TDK中國營業統括部統括部長南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動元件發展的一個新方向
1935年，鐵氧體的發明人，當時任教日本東京工業大學電化學系的加藤與五郎博士和武井武博士創立了東京電氣化學工業株式會社，從事磁性材料的商業開發和運營。1983年，該公司正式更名為TDK株式會社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學）的首字母（中文公司譯名：東電化）。
2008-07-17
被動元件
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TG-5005CG：Epson Toyocom搭載了QMEMS印制蝕刻芯片的小型TCXO
Epson Toyocom公司開始批量生產針對手機終端的GPS，在小型且高精度TCXO（溫度補償晶體振蕩器）TG-5005CG中搭載了使用QMEMS技術制作的印制蝕刻芯片的產品。
2008-07-16
TG-5005CG TCXO 溫度補償晶體振蕩器
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負載壽命穩定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負載壽命穩定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結溫高達 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設計人員提高汽車及其他高溫應用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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